300KW SiC-MOSFET Solid State højfrekvent rørsvejser

300KW SiC-MOSFET Solid State højfrekvent rørsvejservedtager SiC mosfet, og det har høj temperatur og højtryksresistens. SiC mosfet bruges hovedsageligt på power modul boards.This type power boards bruges i solid state højfrekvente rørsvejser.

Tekniske parametre:

Nominel udgangseffekt: 300kW

Svejsetilstand: induktionstype

Nominel jævnspænding: 240V

Nominel jævnstrøm: 1500A

Nominel frekvens: 300KHZ

Hele effektiviteten: η≥85%

Strømforsyningsspænding: 3-faset 380V/50Hz (udstyr kunne fungere ved spændingen 380V±5%)

Strømfordelingskapacitet: ≥360kVA

Præstationskarakteristika

Høj temperatur- og højtryksmodstand: SiC gør det muligt at skabe strømforsyninger af300KW SiC-MOSFET Solid State højfrekvent rørsvejserfungerer pålideligt selv i høje temperaturer. SiC har en nedbrydningsfeltstyrke til isolering, der er ti gange højere end SiC, hvilket muliggør produktion af højspændingsenheder med øgede dopingkoncentrationer og tyndere drivlagsfilmtykkelse sammenlignet med SiC-baserede enheder.

Miniaturisering og letvægtsdesign af enheder: Siliciumcarbid (SiC) enheder af300KW SiC-MOSFET Solid State højfrekvent rørsvejsertilbyder overlegen termisk ledningsevne og effekttæthed, forenkler varmeafledningssystemer og letter enhedsminiaturisering og letvægtskonstruktion.

Højfrekvensdrift og lavt energitab: SiC-enheder fungerer ved frekvenser, der er op til ti gange højere end siliciumbaserede enheder, og bevarer effektiviteten uden tab, når frekvensen stiger, hvilket resulterer i næsten 50 % reduktion i energitab. Derudover reducerer den øgede driftsfrekvens mængden af ​​perifere komponenter såsom induktorer og transformere, hvilket fører til reduceret systemvolumen og komponentomkostninger.

Vi producerer ikke kun300KW SiC-MOSFET Solid State højfrekvente rørsvejsere, men leverer også højtydende og pålideligt induktionsvarmebehandlingsudstyr og nogle løsninger. Velkommen til at konsultere for detaljerede oplysninger!